Уважаемые посетители сайта, из-за быстро меняющихся, независящих от нас обстоятельств, цена ряда товаров на нашем сайте может оказаться недействительной. Просьба относиться к этому с пониманием.
Действительные цены просим уточнять у менеджеров.

Результаты поиска в каталоге "ин":

Вы можете воспользоваться сортировкой по названию.

Страницы: [1] ... [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] ... [30]

название
LQH55DN220M, SMD-индуктивность 22мкГн (20%) 2220
LQH55DN221M, 220мкГн, 2220, (20%), чип индуктивнос
LQH55DN2R2M, 2.2мкГн, 2220, (20%), чип индуктивнос
LQH55DN470M, 47мкГн, 2220, (20%), чип индуктивност
LQH55DN4R7M, 4.7мкГн, 2220, (20%), чип индуктивнос
LQH55DN6R8M,SMD индуктивность 6.8мкГн (20%) 2220
LQH66SN100M, 10мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
LQH66SN101M, 100мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN101M03L, 100мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN150M, 15мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
LQH66SN151M,SMDинд 150мкГн 20% 2525 MUR
LQH66SN1R0M, 1.0мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN220M, 22мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
LQH66SN221M, 220мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN222M, 2200мкГн, 2525,(20%), чип индуктивнос
LQH66SN2R2M, 2.2мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN3R3M, 3.3мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN470M,SMDинд 47мкГн 20% 2525 MUR
LQH66SN471M, 470мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN4R7M, 4.7мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQH66SN680M, 68мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
LQH66SN681M, 680мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
LQM18NNR68K, 0.68мкГн, 0603,(10%), чип индуктивнос
LQM18NNR82K, 0.82мкГн, 0603,(10%), чип индуктивнос
LQM21DN2R2K, 2.2мкГн, 0805, (30%), чип индуктивнос
LQM21DN470N, 47мкГн, 0805, (30%), чип индуктивност
LQM21FN100N, 10мкГн, 0805, (30%), чип индуктивност
LQM21FN1R0N, 1.0мкГн, 0805, (30%), чип индуктивнос
LQM21FN2R2N, 2.2нГн, 0805, (30%), чип индуктивност
LQM21FN470N, 47мкГн, 0805, (30%), чип индуктивност
LQM21FN4R7N, 4.7мкГн, 0805, (30%), чип индуктивнос
LQM21NN1R0K, 1.0мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN1R2K, 1.2мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN1R5K, 1.5мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN1R8K, 1.8мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN2R2K, 2.2мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN2R7K, 2.7мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN3R3K, 3.3мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN3R9K, 3.9мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
LQM21NN4R7K, 4.7мкГн, 0805, (10%), чип индуктивнос
LQM21NNR10K, 0.1мкГн, 0805, (10%), чип индуктивнос
LQM21NNR12K, 0.12мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR15K, 0.15мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR18K, 0.18мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR22K, 0.22мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR27K, 0.27мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR33K, 0.33мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR39K, 0.39мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR47K, 0.47мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR56K, 0.56мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR68K, 0.68мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQM21NNR82K, 0.82мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQN21A22NJ, 0.022мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQN21A3N3D, 0.0033мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQN21A6N8D,0.0068мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQP15TN5N6C,SMDинд.5.6нГн +/-0.2нГн 0402 MUR
LQP18MN10NG, 0.01мкГн, 0603, (2%), чип индуктивнос
LQP18MN1N5C, 1.5нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
LQP18MN2N2C, 2.2нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
LQP18MN2N7C, 2.7нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
LQP18MN3N3C, 3.3нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
LQP18MN3N9C, 3.9нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
LQP18MN56NG, 0.056мкГн, 0603,(2%), чип индуктивнос
LQP18MN5N6C, 5.6нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
LQP18MNR10G, 0.1мкГн, 0603, (2%), чип индуктивност
LQW18AN12NJ, 12нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
LQW18AN15NJ, SMD индуктивность 15нГн (5%) 0603
LQW18AN22NG, 22нГн, 0603, (2%), чип индуктивность
LQW18AN22NJ, 22нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
LQW18AN27NG, SMD-индуктивность 27нГн (2%) 0603
LQW18AN2N2D, 2.2нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
LQW18AN30NG, SMD-индуктивность 30нГн (2%) 0603
LQW18AN33NG,SMDинд. 33нГн 2% 0603 MUR
LQW18AN39NJ, 39нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
LQW18AN3N9C, SMD-индуктивность 3.9нГн 2% 0603
LQW18AN43NG, SMD-индуктивность 34нГн (2%) 0603
LQW18AN47NJ, 47нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
LQW18AN4N7D, SMD-индуктивность 4.7нГн (5%) 0603
LQW18AN56NG, SMD-индуктивность 56нГн (2%) 0603
LQW18AN6N2C, SMD-индуктивность 6.2нГн (2%) 0603
LQW18AN6N2D, 0.0062мкГн, 0603,(10%), чип индуктивн
LQW18AN8N2C, SMD-индуктивность 8.2нГн 2% 0603
LQW18AN9N5D, SMD-индуктивность 9.5нГн (5%) 0603
LQW18ANR10G, SMD-индуктивность 100нГн (2%) 0603
LQW18ANR10J, 100нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
LQW18ANR22G, 0.22мкГн, 0603, (2%), чип индуктивнос
LQW18ANR39G, SMD-индуктивность 390нГн (2%) 0603
LQW2BHN 8.2 nH D Murata 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN-120-NH-J 0805, чип индуктивнос
LQW2BHN10NJ, 0.01мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQW2BHN12NJ, 0.012мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN15NJ, 0.015мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN18NJ, 0.018мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN22NJ, 0.022мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN33NG, 0.033мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
LQW2BHN33NJ, 0.033мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN39NG, 0.039мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
LQW2BHN39NJ, 0.039мкГн, 0805, (5%), чип индукт
LQW2BHN3N3D, 0.0033мкГн, 0805, чип индуктивность
LQW2BHN47NG, 0.047мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
LQW2BHN47NJ, 0.047мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN56NG, 0.056мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
LQW2BHN68NG, 0.068мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
LQW2BHN68NJ, 0.068мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
LQW2BHN82J, 0.082мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQW2BHN82NJ,SMDин.0.082мкГн 5% 0805 MUR
LQW2BHNR10G, 0.1 мкГн, 0805, (2%), чип индуктивнос
LQW2BHNR10J, 0.1 мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQW2BHNR15G, 0.15мкГн, 0805, (2%), чип индуктивнос
LQW2BHNR15J, 0.15мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQW2BHNR18J, 0.18мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQW2BHNR18J03L-180nHM 0805, чип индуктивнос
LQW2BHNR22G, 0.22мкГн, 0805, (2%), чип индуктивнос
LQW2BHNR22J, 0.22мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQW2BHNR33K, 0.33мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
LQW2BHNR47J, 0.47мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
LQW31HNR10J,SMDинд.0.1мкГн 5% 1206 MUR
PLA10AN1522R0R2B, сетевой фильтр инд.2А MUR
PLA10AN2030R5R2B, сетевой фильтр инд.0.5А MUR
PLA10AN3521R2R2B,сетев.флт инд.1.2А MUR
PLA10AN3621R0D2, сетевой фильтр инд.1А MUR
PLA10AN3630R3D2, сетевой фильтр инд.0.3А MUR
PLA10AS1030R7R2B, сетевой фильтр инд.0.7А MUR
PLA10AS2221R5R2B, сетевой фильтр, инд.1.5А MUR
PLA10AS3030R4R2B, сетевой фильтр инд.0.4А MUR
PLA10AS4330R3R2B, сетевой фильтр инд.0.3А MUR
PLH10AN2211R5P2B,сетев.флт инд.1.5А 300В MUR
PLY10AN1130R5D2B, сетевой фильтр инд.0.5А 300В
PLY10AN1430R5R2B, сетевой фильтр инд.0.5А MUR
PLY10AN1521R6R2B,сетев.флт инд. MUR
PLY10AN4420R8D2B, сетевой фильтр инд.0.8А MUR
RLB0712-100KL, 10 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0712-101KL, 100 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0712-120KL индукт. 12 мкГн BRNS
RLB0712-221KL, индуктивность 220 мкГн BRNS
RLB0712-330KL, 33 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0712-471KL, 470 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0712-680KL, 68 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0912-470KL, 47 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-101KL, 100 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-102KL, 1000 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-120KL индукт. 12 мкГн BRNS
RLB0914-181KL, 180 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-220KL, 22 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-270KL, 27 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-271KL, 270 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-3R3ML индукт. 3,3 мкГн BRNS
RLB0914-470KL, 47 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-471KL, 470 мкГн, индуктивность BRNS
RLB0914-680KL, 68 мкГн, индуктивность BRNS
название

Страницы: [1] ... [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] ... [30]