|
LQH43MN330K, 33мкГн, 1812, (10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN331K, 330мкГн, 1812, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQH43MN390K, 39мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH43MN391K, 390мкГн, 1812,(10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN3R3M, 3.3мкГн, 1812, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH43MN3R3M, 3.3мкГн, 1812,(20%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN3R9M, 3.9мкГн, 1812,(20%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN470K, 47мкГн, 1812, (10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN471K, 470мкГн, 1812, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQH43MN4R7K, 4.7мкГн, 1812, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQH43MN560K, 56мкГн, 1812, (10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN561K, 560мкГн, 1812, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQH43MN5R6K, 5.6мкГн, 1812,(10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN680K, 68мкГн, 1812, (10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN681K, 680мкГн, 1812,(10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN6R8K, 6.8мкГн, 1812,(10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN820J, 820мкГн, 1812, (5%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN820K, 820мкГн, 1812, (10%),чип индуктивност
|
|
LQH43MN820K, 82мкГн, 1812, (10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN821K, 820мкГн, 1812,(10%), чип индуктивност
|
|
LQH43MN8R2K, 8.2мкГн, 1812,(10%), чип индуктивност
|
|
LQH4C680K04, 68мкГн, 1812, (10%), чип индуктивност
|
|
LQH4N271K04, 270мкГн, 1812, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQH4N821K04, 820мкГн, 1812, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQH4N8R2K04, 8.2мкГн, 1812, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQH55DN100M, 10мкГн, 2220, (20%), чип индуктивност
|
|
LQH55DN100M03L, 10мкГн, 2220, (20%), чип индуктивн
|
|
LQH55DN101M,SMD индуктивность 100мкГн (20%) 2220
|
|
LQH55DN103M,SMD индуктивность 10000мкГн (20%) 2220
|
|
LQH55DN220M, SMD-индуктивность 22мкГн (20%) 2220
|
|
LQH55DN221M, 220мкГн, 2220, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH55DN2R2M, 2.2мкГн, 2220, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH55DN470M, 47мкГн, 2220, (20%), чип индуктивност
|
|
LQH55DN4R7M, 4.7мкГн, 2220, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH55DN6R8M,SMD индуктивность 6.8мкГн (20%) 2220
|
|
LQH66SN100M, 10мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
|
|
LQH66SN101M, 100мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN101M03L, 100мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN150M, 15мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
|
|
LQH66SN1R0M, 1.0мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN220M, 22мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
|
|
LQH66SN221M, 220мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN222M, 2200мкГн, 2525,(20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN2R2M, 2.2мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN3R3M, 3.3мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN471M, 470мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN4R7M, 4.7мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQH66SN680M, 68мкГн, 2525, (20%), чип индуктивност
|
|
LQH66SN681M, 680мкГн, 2525, (20%), чип индуктивнос
|
|
LQM18NNR68K, 0.68мкГн, 0603,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM18NNR82K, 0.82мкГн, 0603,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21DN2R2K, 2.2мкГн, 0805, (30%), чип индуктивнос
|
|
LQM21DN470N, 47мкГн, 0805, (30%), чип индуктивност
|
|
LQM21FN100N, 10мкГн, 0805, (30%), чип индуктивност
|
|
LQM21FN1R0N, 1.0мкГн, 0805, (30%), чип индуктивнос
|
|
LQM21FN2R2N, 2.2нГн, 0805, (30%), чип индуктивност
|
|
LQM21FN470N, 47мкГн, 0805, (30%), чип индуктивност
|
|
LQM21FN4R7N, 4.7мкГн, 0805, (30%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NN1R0K, 1.0мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN1R2K, 1.2мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN1R5K, 1.5мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN1R8K, 1.8мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN2R2K, 2.2мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN2R7K, 2.7мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN3R3K, 3.3мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN3R9K, 3.9мкГн, 0805,(10%), чип индуктивност
|
|
LQM21NN4R7K, 4.7мкГн, 0805, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR10K, 0.1мкГн, 0805, (10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR12K, 0.12мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR15K, 0.15мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR18K, 0.18мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR22K, 0.22мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR27K, 0.27мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR33K, 0.33мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR39K, 0.39мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR47K, 0.47мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR56K, 0.56мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR68K, 0.68мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQM21NNR82K, 0.82мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQN21A22NJ, 0.022мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQN21A3N3D, 0.0033мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQN21A6N8D,0.0068мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQP18MN10NG, 0.01мкГн, 0603, (2%), чип индуктивнос
|
|
LQP18MN1N5C, 1.5нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN2N2C, 2.2нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN2N7C, 2.7нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN3N3C, 3.3нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN3N9C, 3.9нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN56NG, 0.056мкГн, 0603,(2%), чип индуктивнос
|
|
LQP18MN5N6C, 5.6нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MNR10G, 0.1мкГн, 0603, (2%), чип индуктивност
|
|
LQW18AN12NJ, 12нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN15NJ, SMD индуктивность 15нГн (5%) 0603
|
|
LQW18AN22NG, 22нГн, 0603, (2%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN22NJ, 22нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN27NG, SMD-индуктивность 27нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN2N2D, 2.2нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN30NG, SMD-индуктивность 30нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN39NJ, 39нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN3N9C, SMD-индуктивность 3.9нГн 2% 0603
|
|
LQW18AN43NG, SMD-индуктивность 34нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN47NJ, 47нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN4N7D, SMD-индуктивность 4.7нГн (5%) 0603
|
|
LQW18AN56NG, SMD-индуктивность 56нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN6N2C, SMD-индуктивность 6.2нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN6N2D, 0.0062мкГн, 0603,(10%), чип индуктивн
|
|
LQW18AN8N2C, SMD-индуктивность 8.2нГн 2% 0603
|
|
LQW18AN9N5D, SMD-индуктивность 9.5нГн (5%) 0603
|
|
LQW18ANR10G, SMD-индуктивность 100нГн (2%) 0603
|
|
LQW18ANR10J, 100нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18ANR22G, 0.22мкГн, 0603, (2%), чип индуктивнос
|
|
LQW18ANR39G, SMD-индуктивность 390нГн (2%) 0603
|
|
LQW2BHN 8.2 nH D Murata 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN-120-NH-J 0805, чип индуктивнос
|
|
LQW2BHN10NJ, 0.01мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHN12NJ, 0.012мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN15NJ, 0.015мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN18NJ, 0.018мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN22NJ, 0.022мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN33NG, 0.033мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN33NJ, 0.033мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN39NG, 0.039мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN39NJ, 0.039мкГн, 0805, (5%), чип индукт
|
|
LQW2BHN3N3D, 0.0033мкГн, 0805, чип индуктивность
|
|
LQW2BHN47NG, 0.047мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN47NJ, 0.047мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN56NG, 0.056мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN68NG, 0.068мкГн, 0805, (2%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN68NJ, 0.068мкГн, 0805, (5%), чип индуктивно
|
|
LQW2BHN82J, 0.082мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR10G, 0.1 мкГн, 0805, (2%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR10J, 0.1 мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR15G, 0.15мкГн, 0805, (2%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR15J, 0.15мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR18J, 0.18мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR18J03L-180nHM 0805, чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR22G, 0.22мкГн, 0805, (2%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR22J, 0.22мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR33K, 0.33мкГн, 0805,(10%), чип индуктивнос
|
|
LQW2BHNR47J, 0.47мкГн, 0805, (5%), чип индуктивнос
|
|
RLB0712-100KL, 10 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
RLB0712-101KL, 100 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
RLB0712-120KL индукт. 12 мкГн BRNS
|
|
RLB0712-221KL, индуктивность 220 мкГн BRNS
|
|
RLB0712-330KL, 33 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
RLB0712-471KL, 470 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
RLB0712-680KL, 68 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
RLB0912-470KL, 47 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
RLB0914-101KL, 100 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
RLB0914-102KL, 1000 мкГн, индуктивность BRNS
|
